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J-GLOBAL ID：201102272274688670   整理番号：11A1490041

新規正方晶Biペロブスカイト圧電体薄膜の作製と評価

著者 (4件)： 長田潤一 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1P-C-6  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ペロブスカイト型結晶 ,  *圧電体 ,  誘電体薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *MOCVD ,  X線回折 ,  *結晶構造 ,  エピタクシー ,  状態図 ,  *自発分極 ,  逆格子空間
準シソーラス用語： 無鉛材料

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 正方晶 ,  Bi ,  ペロブスカイト ,  圧電体薄膜 ,  作製 ,  評価