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J-GLOBAL ID：201102272631542298   整理番号：11A0795585

LaNiO₃界面層を利用したBiFeO₃薄膜の選択配向成長

著者 (4件)： 林真里 (上智大 理工) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.24A-BE-9  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  ニッケル酸塩 ,  ランタン化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  界面 ,  強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  X線回折 ,  ヒステリシス ,  結晶方位 ,  ニッケル酸ランタン ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： 結晶配向性 ,  *鉄酸ビスマス

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： LaNiO3 ,  界面層 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  選択配向 ,  成長