文献

J-GLOBAL ID：201102296779076896   整理番号：11A0168582

有機金属気相エピタクシーによって成長させたInAlN/GaNから成るヘテロ構造の価電子帯オフセットの測定

Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy

著者 (6件)： AKAZAWA M. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  GAO B. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME T. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HIROKI M. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAHATA S. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 1  ページ： 013703  発行年： 2011年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーによって成長させたIn_0.17Al_0.83N/GaN,In_0.25Al_0.75N/GaN,およびIn_0.30Al_0.70N/GaNから成るヘテロ構造の価電子帯オフセット,ΔE_V,をX線光電子分光法(XPS)によって評価した。Alにおける2pスペクトルのエネルギー位置と半値全幅の出口角に対する依存性は,それぞれの超薄膜InAlN層内の分極によって誘起される電場と表面Fermi準位のピン止めの結合効果によって引き起こされる鋭いバンドの曲がりを示唆している。バンドの曲がりを考慮しないで評価したΔE_Vの値は,全ての試料に関して理論的に見積もられた値とは大幅に異なることが分かった。バンドの曲がりに起因する間違った結果を数値計算によって修正すると,妥当な結果が得られることが分かった。見積もられたΔE_Vの値は,In_0.17Al_0.83N/GaNについては0.2±0.2eV,In_0.25Al_0.75N/GaNについては0.1±0.2eV,そしてIn_0.30Al_0.70N/GaNでは0.0±0.2eVであることが分かった。Inのモル比の増加に伴って,InAlN層のバンドギャップは1.0eV程度の大幅な減少を示すにも拘わらず,ΔE_Vの減少は僅かに0.2eV程度であることが分かった。従って,バンドギャップの不連続性の変化は,主に伝導帯のオフセットに起因することが結論づけられた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  価電子バンド ,  *バンドオフセット ,  ヘテロ接合 ,  X線光電子スペクトル ,  FWHM ,  誘電分極 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  バンド構造 ,  数値計算 ,  バンドギャップ ,  伝導バンド ,  バンド曲がり ,  *窒化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： MOVPE ,  *窒化アルミニウムインジウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  InAlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  価電子帯 ,  オフセット