特許
J-GLOBAL ID：201103036539858201
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285140
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135605
特許番号：特許第3642903号
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電極配線の形成において、有機金属を有機溶媒と酸に溶解し、溶媒を蒸発させた後の残査を、再度有機溶媒に溶解させる工程によって塗布用の金属酸化膜前駆体を製造する工程と、フィルム上に前記塗布用の金属酸化膜前駆体を塗布した後、乾燥させることにより、フィルム上に高い粘性を有する金属酸化物前駆体を形成する工程と、該金属酸化物前駆体を半導体基板上に形成した接続孔に転写する工程と、転写した金属酸化物前駆体から該フィルムを剥離する工程と、該金属酸化物前駆体を還元雰囲気下で加熱することにより金属膜を形成する工程と、該接続孔内部以外の該金属膜を除去する工程を少なくとも備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/288
, H01L 21/3205
H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
