特許
J-GLOBAL ID：201103037538571606
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116805
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223781
特許番号：特許第3804335号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】リッジ形状のストライプを有する、化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、
上記リッジの両側の部分が、少なくとも一部が非単結晶である化合物半導体からなる埋め込み半導体層により埋め込まれており、上記埋め込み半導体層の屈折率は活性層の屈折率以下である
ことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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