半導体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274645
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 AlN系材料を埋め込み層として用いることができ、かつ活性領域を形成する他の半導体側に転位や歪みが導入されるのを抑制して良質な活性層を得ることができ、しきい値の低減や信頼性の向上等をはかる。【解決手段】 p型InP基板101上に、p型InPバッファ兼クラッド層102,MQW活性層103,n型InPクラッド層104,n型InPコンタクト層105が形成され、各層105〜102がメサ状に加工された半導体レーザにおいて、メサ側面に多結晶のAlGaN層110を埋め込み形成した。

請求項（抜粋）：

Al<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> In<SB>z</SB> N(0<x<1,0<y+z<1,x+y+z=1)を、埋め込み層又は絶縁層に用いたことを特徴とする半導体素子。

IPC (9件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 29/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 33/00

FI (6件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 29/205 , H01L 29/72 , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-070657 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190467 出願人：松下電器産業株式会社
半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118276 出願人：富士通株式会社

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