高誘電率キャパシタおよびその製法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290984
特許番号：特許第3320134号
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主表面を有する半導体基板と、前記主表面の上に形成された金属酸化物を主成分とする比誘電率100以上の誘電体材料からなる誘電体膜と、前記誘電体膜を挟んで対向する一対の電極からなる高誘電率キャパシタであって、前記誘電体膜の上部に形成された上部電極に少なくともその一部が接するように前記誘電体材料の酸素欠損を抑制する保護膜が形成されて、前記保護膜の材料が、(a)Alのチッ化物、または(b)Alの酸化物からなり、しかも前記保護膜に開けられた開孔部に埋め込まれ、前記上部電極と電気的接続されたアルミニウムの電極配線が形成されている高誘電率キャパシタ。

IPC (5件)：