特許

J-GLOBAL ID：201103039704267689

静電駆動スイッチの製造方法

発明者： 小舘 淳一 ,  町田 克之 ,  浦野 正美 ,  桑原 啓
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 本山 泰 ,  豊田 義元
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246434
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066178
特許番号：特許第4494130号
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の上に所定領域を囲うように側壁枠が形成された状態とする工程と、 前記側壁枠の内側の前記半導体基板上に素子を形成する工程と、 前記側壁枠の上に前記半導体基板の面に対向する天井壁が形成されて前記素子が前記側壁枠と前記天井壁とからなる容器に封止された状態とする工程と を少なくとも備え、 前記素子は、 支持部にバネ梁を介して前記半導体基板の上に空間を空けて支持された可動体と、 この可動体の前記半導体基板側の下面に配置された接点電極と、 前記可動体の下に配置された信号線と、 前記可動体の下に配置されて前記可動体を静電力により引きつける駆動電極と から構成され、 前記接点電極と前記信号線との電気的導通状態によるスイッチ素子であり、 前記半導体基板上に第1シード層が形成された状態とする第1工程と、 メッキ法により第1金属パターンが前記第1シード層の上に形成された状態とした後、前記第1金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記シード層が選択的に除去された状態とする第2工程と、 前記第1金属パターンを覆うように前記半導体基板の上に層間絶縁膜が形成された状態とする第3工程と、 前記第1金属パターンの一部領域に当たる前記層間絶縁膜の所望の位置にコンタクトホールが開口された状態とする第4工程と、 前記コンタクトホールの内部を含めた前記層間絶縁膜の上に第2シード層が形成された状態とする第5工程と、 メッキ法により、第2金属パターン及びこれより厚い第3金属パターンが、前記第2シード層の上に形成された状態とした後、前記第2金属パターン及び前記第3金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記第2シード層が選択的に除去された状態とする第6工程と、 前記第3金属パターンの間を埋め込んで前記第2金属パターンが覆われた状態に、前記層間絶縁膜の上に感光性有機樹脂膜が形成された状態とした後、露光現像により前記感光性有機樹脂膜をパターニングし、前記第3金属パターンの一部が露出した状態で前記層間絶縁膜の上に第1犠牲層が形成された状態とする第7工程と、 露出した前記第3金属パターンの部分を含んで前記第1犠牲層の上に第3シード層が形成された状態とする第8工程と、 メッキ法により、前記第3シード層の上に接点電極と第4金属パターンとが形成された状態とした後、前記接点電極及び前記第4金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記第3シード層が選択的に除去された状態とする第9工程と、 前記接点電極及び前記第4金属パターンの間を埋め込んで、前記第1犠牲層の上に感光性有機樹脂膜が形成された状態とした後、露光現像により前記感光性有機樹脂膜をパターニングし、前記接点電極及び前記第4金属パターンの一部が露出した状態で前記第1犠牲層の上に第2犠牲層が形成された状態とする第10工程と、 前記接点電極を含む前記第2犠牲層の上の所定領域に第1無機絶縁層が形成された状態とする第11工程と、 前記第1無機絶縁層を覆って前記第2犠牲層の上に第4シード層が形成された状態とする第12工程と、 メッキ法により第5金属パターンが前記第4シード層の上に形成された状態とした後、前記第1無機絶縁層及び前記第5金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記第4シード層が選択的に除去された状態とする第13工程と、 前記第1無機絶縁層及び前記第5金属パターンの間を埋め込んで、前記第2犠牲層の上に感光性有機樹脂膜が形成された状態とした後、露光現像により前記感光性有機樹脂膜をパターニングし、前記第1無機絶縁層及び前記第5金属パターンの一部が露出した状態で前記第2犠牲層の上に第3犠牲層が形成された状態とする第14工程と、 露出した前記第1無機絶縁層及び前記第5金属パターンの部分を含んで前記第3犠牲層の上に第5シード層が形成された状態とする第15工程と、 メッキ法により、第6金属パターン及びこれより厚い第7金属パターンが、前記第5シード層の上に形成された状態とした後、前記第6金属パターン及び前記第7金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記第5シード層が選択的に除去された状態とする第16工程と、 前記第1無機絶縁層の上部に当たる前記第6金属パターンの上の所定領域に第2無機絶縁層が形成された状態とする第17工程と、 前記第7金属パターンの間を埋め込んで前記第3犠牲層の上に感光性有機樹脂膜が形成された状態とした後、露光現像により前記感光性有機樹脂膜をパターニングし、前記第7金属パターンの一部が露出した状態で前記第3犠牲層の上に第4犠牲層が形成された状態とする第18工程と、 露出した前記第7金属パターンの部分を含む前記第4犠牲層の上に第6シード層が形成された状態とする第19工程と、 メッキ法により、複数の開口部を備えた第8金属パターンが前記第6シード層の上に形成された状態とし後、前記第8金属パターンをマスクとしたエッチングにより前記第6シード層が選択的に除去された状態とする第20工程と、 前記第8金属パターンの開口部を介したエッチングにより、前記第1犠牲層,前記第2犠牲層,前記第3犠牲層,及び前記第4犠牲層が除去された状態とする第21工程と、 前記第8金属パターンの上に前記開口部を塞ぐように絶縁膜が形成された状態とする第22工程と を少なくとも備え、 前記第3金属パターンは、 前記第1金属パターンが形成された領域を囲う枠状の部分と、この枠状の部分の内側に配置された部分とから構成され、 前記第6金属パターンは、前記内側に配置された部分にかけて形成される ことを特徴とする静電駆動スイッチの製造方法。

IPC (5件)：

H01H 59/00 ( 200 6.01) ,  B81B 3/00 ( 200 6.01) ,  B81C 1/00 ( 200 6.01) ,  H01H 49/00 ( 200 6.01) ,  H02N 1/00 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01H 59/00 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01H 49/00 J ,  H02N 1/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• RFMEMSスイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347181   出願人：株式会社村田製作所
• スイッチ及びスイッチングシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-518664   出願人：スミスズインダストリーズパブリックリミテッドカンパニー
• マイクロリレー及びマイクロリレーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-324384   出願人：富士通コンポーネント株式会社
• 高周波信号用スイッチを含む移相器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284005   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド