特許
J-GLOBAL ID：201103056665888389
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145058
特許番号：特許第3104658号
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上にソース・ドレイン領域を形成する工程と、該領域上にシリコン膜を選択的に成長させる工程を有する半導体装置の製造方法であって、該シリコン膜の成長工程において、下地の結晶性の影響を受けないでその膜表面が平坦になるように、シラン系ガス流量と成長温度を反応律速領域に制御して、第1のシリコン膜を選択的に成長する工程と、該第1のシリコン膜上に、シラン系ガス流量と成長温度を比較的供給律速領域よりに制御して、第2のシリコン膜を選択的に成長する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
