特許
J-GLOBAL ID:201103081051995655

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-095815
公開番号(公開出願番号):特開平11-297931
特許番号:特許第3442994号
出願日: 1998年04月08日
公開日(公表日): 1999年10月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板上に半導体集積回路を形成して成る半導体装置において、前記半導体集積回路と外部との電気的接続のための経路中に静電引力を利用して接点の開閉を行う静電型可動接点素子が接続されており、前記半導体集積回路は少なくとも半導体メモリ素子より成る記憶手段を備え、前記静電型可動接点素子が前記半導体メモリ素子上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 471
FI (2件):
H01L 27/10 471 ,  H01L 27/04 H
引用特許:
審査官引用 (3件)

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