特許

J-GLOBAL ID：201103082727458140

基材の平坦化方法、被膜付基材および半導体装置の製造方法

発明者： 村口 良 ,  中島 昭 ,  藤内 篤 ,  小松 通郎 ,  町田 克之 ,  久良木 億 ,  今井 和雄
出願人/特許権者： 触媒化成工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-522370
特許番号：特許第3420590号
出願日： 1997年10月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】平滑基材表面に予め球状微粒子層を形成し、次いで該球状微粒子層上に、被膜形成用塗布液を塗布して球状微粒子含有被膜を形成したのち、平滑基材表面に該球状微粒子含有被膜が形成された面と、凹凸な表面を有する基材の凹凸面とを密着させて、球状微粒子含有被膜を凹凸な表面を有する基材の凹凸面に転写して、該凹凸面を平坦化することを特徴とする基材の平坦化方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 302 ,  C09D 183/16 ,  G02F 1/1333 500 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/14

FI (10件)：

H01L 21/316 U ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/00 N ,  B05D 7/24 302 Y ,  C09D 183/16 ,  G02F 1/1333 500 ,  G11B 5/84 A ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211699   出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-118584   出願人：触媒化成工業株式会社
• シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-227116   出願人：触媒化成工業株式会社