電界効果トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (12件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 金森久司 , 長沼暉夫 , 池田幸弘 , 梶原斎子 , 新村守男 , 長瀬裕子 , 井上洋一 , 弓削麻理 , 渡邉義敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008066842
公開番号（公開出願番号）：WO2009-038120
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

特定の有機化合物を半導体材料として用いることにより、実用的なキャリア移動度を有し、閾値電圧が低く、エネルギー消費が少ない電界効果トランジスタを提供する。下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物を半導体材料として用い、該化合物により半導体層が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタとする。(式(1)中、X1及びX2はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子又はテルル原子を、R1及びR2はそれぞれ独立にC1-C14のアルキル基を表す。但し、X1及びX2のいずれもがセレン原子の場合には、R1及びR2はそれぞれ独立にC1-C4のアルキル基を表す。)

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される少なくとも1種の化合物により形成されている半導体層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786 , C07D 495/04 , C07D 517/04

FI (6件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B , C07D495/04 101 , C07D517/04

Fターム (74件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC22 , 4C071DD40 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071JJ01 , 4C071LL10 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HM12 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (4件)

有機半導体装置及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264964 出願人：株式会社日立製作所
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203670 出願人：日本電気株式会社
ジチア-s-インダセン誘導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-147116 出願人：高砂香料工業株式会社

全件表示

前のページに戻る