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J-GLOBAL ID：201202201650560046   整理番号：12A0587177

一軸配向Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃系圧電体薄膜の作製と圧電性評価

著者 (9件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  長田潤一 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  渡邉隆之 (キヤノン) ,  薮田久人 (キヤノン) ,  三浦薫 (キヤノン) ,  黒澤実 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.18P-F5-2  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *圧電体 ,  薄膜 ,  MEMS ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： 一軸配向 ,  Bi ,  O3 ,  圧電体薄膜 ,  作製 ,  圧電性 ,  評価