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J-GLOBAL ID：201202246790212670   整理番号：12A0308817

ペロブスカイト型酸化物テンプレートを用いた(001)高配向性BiFeO₃薄膜の選択的成長

著者 (4件)： 林真里 (上智大 理工) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 50th  ページ： 169  発行年： 2012年01月12日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スピンコーティング ,  *結晶化 ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  型 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  *ビスマスフェライト ,  *酸化物薄膜 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板 ,  テンプレート【型】 ,  結晶配向性 ,  抗電界

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： ペロブスカイト ,  酸化物 ,  テンプレート ,  配向性 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  選択的成長