文献

J-GLOBAL ID：201202281873017682   整理番号：12A0601172

新開発GaN HEMTのスイッチング特性

著者 (8件)： 石橋卓治 ,  岡本昌幸 ,  平木英治 ,  田中俊彦 ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  橋詰保 (JST-CREST) ,  加地徹 (豊田中研) ,  加地徹 (JST-CREST)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan)
巻： 2012  号： 4  ページ： 258  発行年： 2012年03月05日 
JST資料番号： S0653A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *特性 ,  *窒化ガリウム ,  *スイッチング特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 開発 ,  GaN ,  HEMT ,  スイッチング特性