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J-GLOBAL ID：201202287134478980   整理番号：12A1438126

微小角入射X線回折による熱酸化およびラジカル酸化SiO₂薄膜中の結晶様構造の評価

著者 (10件)： 永田晃基 (明治大 理工) ,  永田晃基 (日本学術振興会) ,  山口拓也 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小金澤智之 (高輝度光科学研究セ) ,  廣澤一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  諏訪智之 (東北大 未来研) ,  寺本章伸 (東北大 未来研) ,  服部健雄 (東北大 未来研) ,  大見忠弘 (東北大 未来研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12P-F4-14  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *X線回折 ,  *熱酸化 ,  *ラジカル ,  *二酸化ケイ素 ,  *薄膜 ,  *結晶構造 ,  ウエハ【IC】 ,  放射光施設 ,  配向 ,  回折 ,  SPring-8 ,  シリコンウエハ ,  *すれすれ入射X線回折
準シソーラス用語： Si基板 ,  *微小角入射X線回折

分類 (2件)： その他の非晶質の構造  (BK04040Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 微小角入射X線回折 ,  熱酸化 ,  ラジカル ,  酸化 ,  SiO2 ,  薄膜 ,  結晶 ,  評価