特許

J-GLOBAL ID：201203011055519890

誘電体化合物薄膜及びその製造方法

発明者： 藤井 達生 ,  高田 潤 ,  池田 直 ,  狩野 旬 ,  中西 真
出願人/特許権者： 国立大学法人 岡山大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-002596
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144390
出願日： 2011年01月10日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】大面積の誘電体化合物薄膜を低コストで作製できる製造方法および誘電体化合物薄膜を提供する。【解決手段】誘電体化合物(RMbO3-δ)n(MaO)mの原料となるRを含む化合物と、Maを含む化合物と、及びMbを含む化合物を溶媒に溶解させることにより、RとMaとMbの有機金属錯体を含有する原料溶液を準備する準備工程と、原料溶液をゾル化してゾル状溶液を作製するゾル化工程と、ゾル状溶液を基板に塗布する塗布工程と、基板に塗布されたゾル状溶液に重合を生じさせてゲル状膜を形成する乾燥重合工程と、ゲル状膜を焼結させる焼成工程とにより誘電体化合物薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体化合物(RMbO3-δ)n(MaO)m(Rは、In,Sc,Y,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Ti,Ca,Sr,Ce,Sn,Hfから選ばれる少なくとも1種類の元素、Ma,Mbは、Ti,Mn,Fe,Co,Cu,Ga,Zn,Al,Mg,Cdから重複を許して選ばれる少なくとも1種類の元素、nは1以上の整数、mは0以上の整数、δは0以上0.2以下の実数)の原料となるRを含む化合物と、Maを含む化合物と、及びMbを含む化合物を溶媒に溶解させることにより、RとMaとMbの有機金属錯体を含有する原料溶液を準備する準備工程と、 前記原料溶液をゾル化してゾル状溶液を作製するゾル化工程と、 前記ゾル状溶液を基板に塗布する塗布工程と、 前記基板に塗布された前記ゾル状溶液に重合を生じさせてゲル状膜を形成する乾燥重合工程と、 前記ゲル状膜を焼結させる焼成工程と を有する誘電体化合物薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

C01G 49/00

FI (1件)：

C01G49/00 A

Fターム (3件)：

4G002AA06 ,  4G002AB02 ,  4G002AE05