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J-GLOBAL ID：201302205560969320   整理番号：13A1722511

Pを導入したNiSi₂電極を用いたn-Ge基板の電流電圧特性の熱処理依存性

著者 (10件)： 元木雅章 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  吉原亮 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.20P-B4-5  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 熱処理 ,  ケイ化物 ,  ニッケル化合物 ,  *ウエハ【IC】 ,  N型半導体 ,  *電流電圧特性 ,  リン ,  ドーピング ,  *接触抵抗 ,  ケイ化ニッケル
準シソーラス用語： *ゲルマニウム基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge基板 ,  電流電圧特性 ,  熱処理 ,  依存性