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J-GLOBAL ID：201302210144820664   整理番号：13A1806776

高圧力下における層状極性半導体BiTeIの構造変化

著者 (8件)： 樋口雄一郎 (新潟大 大学院) ,  大村彩子 (新潟大) ,  加納学 (東京工大 応用セラミックス研) ,  中山敦子 (新潟大) ,  石川文洋 (新潟大 理) ,  山田裕 (新潟大 理) ,  中野智志 (物質・材料研究機構) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 高圧討論会講演要旨集  (Abstracts. HPCJ)
巻： 54th  ページ： 84  発行年： 2013年10月30日 
JST資料番号： L1222A  ISSN： 0917-6373  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *ヨウ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  層状化合物 ,  *半導体 ,  極性 ,  *高圧 ,  圧力効果 ,  *結晶構造 ,  変化 ,  X線回折 ,  シンクロトロン放射 ,  *構造相転移 ,  極性半導体 ,  構造変化 ,  放射光X線回折

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高圧力 ,  層状 ,  極性半導体