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J-GLOBAL ID：201302210776052719   整理番号：13A0851563

HfO₂/SiO₂及びY₂O₃/SiO₂構造の作製条件最適化

著者 (12件)： 豊嶋祐樹 (兵庫県大) ,  谷脇将太 (兵庫県大) ,  堀田育志 (兵庫県大) ,  堀田育志 (JST-CREST) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (JST-CREST) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  新船幸二 (JST-CREST) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小椋厚志 (JST-CREST) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.30A-F1-1  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *酸化イットリウム ,  誘電体薄膜 ,  イオン結合 ,  共有結合 ,  素子構造 ,  *レーザ蒸着 ,  焼なまし ,  ウエハ【IC】 ,  *MOS構造 ,  *容量電圧特性 ,  X線光電子スペクトル ,  *パルスレーザ蒸着 ,  高k誘電体 ,  ヘテロ構造 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  SiO2 ,  Y2O3 ,  作製条件 ,  最適化