Fe層とSi層の積層スパッタにより形成されたβ-FeSi<sub>2</sub>のキャリア密度に関する研究

嘉藤貴史; 稲村太一; 佐々木亮人; 青木克明; 角嶋邦之; 片岡好則; 西山彰; 杉井信之; 若林整; 筒井一生; 名取研二; 岩井洋

文献

J-GLOBAL ID：201302212070852707 整理番号：13A1722615

Fe層とSi層の積層スパッタにより形成されたβ-FeSi₂のキャリア密度に関する研究

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=13A1722615&COPY=1") }}
このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=13A1722615&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055B") }}

著者 (12件)： , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 74th ページ： ROMBUNNO.20A-D6-6 発行年： 2013年08月31日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , , , , , , ,

半導体結晶の電気伝導

, , ,

前のページに戻る

Fe層とSi層の積層スパッタにより形成されたβ-FeSi2のキャリア密度に関する研究

Fe層とSi層の積層スパッタにより形成されたβ-FeSi₂のキャリア密度に関する研究