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J-GLOBAL ID：201302214636245784   整理番号：13A1722454

Niシリサイドナノワイヤ抵抗率のNi膜厚依存性

著者 (10件)： SONG J. (東京工大) ,  松本一輝 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-C10-3  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  半導体 ,  ナノワイヤ ,  FET【トランジスタ】 ,  *電気抵抗率 ,  *膜厚 ,  *ケイ化物 ,  スパッタ蒸着 ,  ニッケル化合物 ,  金属薄膜 ,  *熱処理 ,  *ケイ化ニッケル
準シソーラス用語： *ニッケルシリサイド

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ni ,  抵抗率 ,  膜厚依存性