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J-GLOBAL ID：201302219444797009   整理番号：13A1722716

ショットキーゲート材料によるAlGaN/GaNの容量電圧特性への影響

著者 (10件)： 宗清修 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.20P-D7-5  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *容量電圧特性 ,  ゲート【半導体】 ,  分散【dispersion】 ,  Ohm接触 ,  *周波数依存性 ,  周波数分散

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  GaN ,  容量電圧特性