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J-GLOBAL ID：201302219664331248   整理番号：12A1799438

インフライトプラズマCVDによるシリコン量子ドット合成:収量及び粒径分布計測

著者 (4件)： 山田陸 (東京工大 大学院) ,  GRESBACK Ryan (東京工大 大学院) ,  岡崎健 (東京工大 大学院) ,  野崎智洋 (東京工大 大学院)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 49th  ページ： ROMBUNNO.SP44  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シングルナノサイズのシリコン結晶(シリコン量子ドット)はサイズに応じた光学特性をもつことから次世代の半導体デバイス材料として期待されており,実用化に向けて量産可能な手法の確立が求められている。我々は非平衡プラズマを用いて,安価・豊富な資源である四塩化ケイ素から直径10nm以下のシリコン量子ドットを連続気相合成するプロセスを開発した。本報では,シリコン量子ドットの収量を評価した結果,及び原子間力顕微鏡による粒径分布計測の結果を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *プラズマCVD ,  Raman分光分析 ,  原子間力顕微鏡 ,  容量結合プラズマ ,  テトラクロロシラン
準シソーラス用語： *シリコン ,  四塩化ケイ素 ,  収量 ,  粒径分布

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマCVD ,  シリコン ,  量子ドット ,  収量 ,  粒径分布 ,  計測