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J-GLOBAL ID：201302220010919260   整理番号：13A1722682

AlGaN/GaN系pチャネルHFETの製作

著者 (8件)： 米澤宏昭 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-P7-12  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  素子構造 ,  *二次元電子ガス ,  *化合物半導体 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *HFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  チャネル ,  HFET ,  製作