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J-GLOBAL ID：201302221684024486   整理番号：13A1722580

低バンドギャップ,バンドオフセットを持つ半導体シリサイド/Si接合によるトンネルFET特性向上

著者 (11件)： 長谷川明紀 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  WU Y. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  SONG J. (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19P-C9-5  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： バンドオフセット ,  ケイ素 ,  ケイ化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  バンドギャップ ,  *電流電圧特性 ,  電流 ,  電圧 ,  素子構造
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  *トンネルFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップ ,  バンドオフセット ,  シリサイド ,  Si ,  トンネルFET