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J-GLOBAL ID：201302235777696035   整理番号：13A1722448

ALD堆積条件によるLa₂O₃/In_0.53Ga_0.47Asキャパシタの電気特性への影響

著者 (11件)： LU G. (東京工大) ,  大嶺洋 (東京工大) ,  ZADEH Darius (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大 大学院) ,  西山彰 (東京工大 大学院) ,  杉井信之 (東京工大 大学院) ,  片岡好則 (東京工大 大学院) ,  若林整 (東京工大 大学院) ,  筒井一生 (東京工大 大学院) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.18P-P9-7  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,  *酸化ランタン ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヘテロ接合 ,  *容量電圧特性 ,  基板 ,  リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *熱処理 ,  状態密度 ,  基板温度 ,  ヒステリシス ,  MISFET ,  分極ヒステリシス ,  界面状態密度
準シソーラス用語： ひ化インジウムガリウム ,  界面準位密度

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ALD ,  堆積 ,  La2O3 ,  キャパシタ ,  電気特性