文献

J-GLOBAL ID：201302247002243997   整理番号：13A1722680

TiSi₂電極の熱処理によるAlGaN/GaNへのコンタクト特性の変化

著者 (11件)： 岡本真里 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  松川佳弘 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19A-P7-10  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 熱処理 ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  半導体材料 ,  ケイ化物 ,  チタン化合物 ,  電極 ,  *電流電圧特性 ,  *接触抵抗 ,  Ohm接触 ,  素子構造 ,  ケイ化チタン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱処理 ,  AlGaN ,  GaN ,  コンタクト