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J-GLOBAL ID：201302248125580374   整理番号：13A1759876

フッ素化アルキル基を用いた有機半導体薄膜表面の修飾とその表面偏析挙動の解析

著者 (5件)： 伊澤誠一郎 (東大 大学院) ,  伊澤誠一郎 (理研 CEMS) ,  橋本和仁 (東大 大学院) ,  但馬敬介 (理研 CEMS) ,  但馬敬介 (JST-さきがけ)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 62  号： 2  ページ： ROMBUNNO.2PA103  発行年： 2013年08月28日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 表面改質 ,  フラーレンC60 ,  *フラーレン ,  半導体薄膜 ,  アルキル化 ,  効果 ,  置換基効果 ,  自己組織化 ,  *単分子層 ,  表面偏析 ,  吸着等温式 ,  吸着 ,  アルキル基 ,  有機半導体 ,  Langmuir吸着等温式 ,  PCBM ,  フルオロアルキル化 ,  フルオロアルキル基 ,  単分子膜 ,  表面吸着 ,  末端基効果 ,  *自己集合単分子膜
準シソーラス用語： C60フラーレン ,  *フラーレン類 ,  *自己組織化単分子層 ,  表面修飾

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： フッ素化アルキル基 ,  半導体薄膜 ,  修飾 ,  表面偏析 ,  挙動 ,  解析