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J-GLOBAL ID：201302248503267574   整理番号：13A1722715

AlGaN/GaN系HEMTにおけるコンタクト特性のAlGaN層厚依存性

著者 (10件)： 武井優典 (東京工大) ,  神谷真行 (東京工大) ,  寺山一真 (東京工大) ,  米澤宏昭 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.20P-D7-4  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *接触抵抗 ,  *温度依存性 ,  依存性 ,  焼きなまし温度 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  コンタクト ,  層厚 ,  依存性