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J-GLOBAL ID：201302255410732656   整理番号：13A0853641

室温堆積ALD-AlO_x膜のパッシベーション特性に及ぼす初期酸化界面の影響

著者 (16件)： 酒井智香子 (兵庫県大) ,  酒井智香子 (JST-CREST) ,  山本俊輔 (兵庫県大) ,  山本俊輔 (JST-CREST) ,  三木祥平 (兵庫県大) ,  三木祥平 (JST-CREST) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  新船幸二 (JST-CREST) ,  堀田育志 (兵庫県大) ,  堀田育志 (JST-CREST) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (JST-CREST) ,  小椋厚志 (明治大) ,  小椋厚志 (JST-CREST) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-PA9-12  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  *不動態化 ,  酸化 ,  キャリア注入 ,  ウエハ【IC】 ,  薄膜成長 ,  表面酸化 ,  シリコンウエハ ,  *改変
準シソーラス用語： Si基板 ,  *原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  堆積 ,  ALD ,  パッシベーション ,  初期 ,  酸化 ,  界面