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J-GLOBAL ID：201302259349789939   整理番号：13A1723183

チャージポンピング法を用いた立体Si構造の絶縁膜界面準位の位置推定

著者 (10件)： 小路智也 (東京工大) ,  石川昂 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.18P-A4-18  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 励起 ,  *絶縁膜 ,  *表面準位 ,  構造 ,  *ナノワイヤ ,  *シリコンナノワイヤ
準シソーラス用語： 電荷ポンピング ,  *界面準位 ,  三次元構造

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： チャージ ,  ポンピング ,  立体 ,  Si ,  絶縁膜 ,  界面準位 ,  位置推定