低温蒸着Ag-Seキャップ層を使った,改良3段階法によるAg(In,Ga)Se<sub>2</sub>太陽電池の蒸着

ZHANG Xianfeng; KOBAYASHI Tsuyoshi; KUROKAWA Yasuyoshi; MIYAJIMA Shinsuke; YAMADA Akira

文献

J-GLOBAL ID：201302268535378433 整理番号：13A0988464

低温蒸着Ag-Seキャップ層を使った,改良3段階法によるAg(In,Ga)Se₂太陽電池の蒸着

Deposition of Ag(In,Ga)Se₂ Solar Cells by a Modified Three-Stage Method Using a Low-Temperature-Deposited Ag-Se Cap Layer

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資料名：
巻： 52 号： 5,Issue 1 ページ： 055801.1-055801.4 発行年： 2013年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

均一なAg深さプロファイルを持つAg(In,Ga)Se₂(AIGS)膜が,Ag-Se層が,600°C近辺の高温プロセスの前に,あらかじめ低温(350°C)で蒸着される改良3段階法により成功裏に蒸着された。Ag-Se層がキャップ層として働き,高温プロセス中に効果的にInの膜への蒸着を阻んだ。AIGS膜のIn/(In+Ga)率はおよそ0.15であるとわかった。本方法で蒸着された最良のAIGS太陽電池は,活性面積変換効率10.7%を示した。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 太陽電池

引用文献 (21件)：

1) P. Jackson, D. Hariskos, E. Letter, S. Paetel, R. Wuerz, R. Menner, W. Wischmann, and M. Powalla: Prog. Photovoltaics 19 (2011) 894.
2) Z. Xianfeng, T. Kobayashi, Y. Kurokawa, Y. Tashiro, M. Ohtsuka, T. Yamada, and A. Yamada: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 126603.
3) Y. Cul, U. N. Roy, A. Burger, and J. T. Goldstein: J. Appl. Phys. 103 (2008) 123514.
4) N. Desrosiers, A. Giguere, 0. Moutanabbir, and B. Terreault: Appl. Phys. eft. 87 (2005) 231908.
5) A. Janotti and S. H. wet: Appl. Phys. Left. 81 (2002) 3957.

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低温蒸着Ag-Seキャップ層を使った,改良3段階法によるAg(In,Ga)Se2太陽電池の蒸着

低温蒸着Ag-Seキャップ層を使った,改良3段階法によるAg(In,Ga)Se₂太陽電池の蒸着