Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi<sub>2</sub>の薄膜評価

今村浩章; 稲村太一; 角嶋邦之; 片岡好則; 西山彰; 杉井信之; 若林整; 筒井一生; 名取研二; 岩井洋

文献

J-GLOBAL ID：201302275073152546 整理番号：13A1722510

Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi₂の薄膜評価

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資料名：
巻： 74th ページ： ROMBUNNO.20P-B4-4 発行年： 2013年08月31日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi2の薄膜評価

Krガスを用いた積層シリサイド化スパッタプロセスにより形成したNiSi₂の薄膜評価