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J-GLOBAL ID：201302282975099512   整理番号：13A1418961

GaN/AlGaN/GaNにおける負性微分抵抗の観測:分極を用いた可能なトンネル接合

Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization

著者 (3件)： WATANABE Noriyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JN03.1-08JN03.3  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着により成長させたn型GaN/無ドープInGaN/無ドープGaN/無ドープAlGaN/n型GaNダイオードにおける異常な電流-電圧挙動を報告した。無ドープGaN/無ドープAlGaN/n型GaN(GAG)のトンネリング接合的バンドプロファイルを,自発及び圧電分極効果により形成した。GAG構造をもつダイオードにおいて,負性微分抵抗(NDR)挙動を観測した。NDR挙動は,GAG構造に存在するトンネリング接合の可能性を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  ドーピング ,  N型半導体 ,  インジウム化合物 ,  MOCVD ,  半導体薄膜 ,  *電流電圧特性 ,  トンネル接合 ,  自発分極 ,  分極 ,  *負性抵抗 ,  *トンネル効果 ,  *負性微分抵抗 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  窒化ガリウムインジウム ,  有機金属化学蒸着 ,  圧電分極

分類 (4件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (12件)：

• J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4741.
• W. Walukiewicz, S. X. Li, J. Wu, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu. and W. J. Schaff: J. Cryst. Growth 269 (2004) 119.
• R. E. Jones, R. Broesler, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, W. Walukiewicz, X. Chen, and W. J. Schaff: J. Appl. Phys. 104 (2008)123501.
• A. Yamamoto, Md. R. Islam, T.-T. Kang, and A. Hashimoto: Phys. Status Solidi C 7 (2010) 1309.
• M. J. Grundmann and U. K. Mishra: Phys. Status Solidi C 4 (2007) 2830.

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  AlGaN ,  負性微分抵抗 ,  観測 ,  分極 ,  トンネル接合