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J-GLOBAL ID：201302289942224782   整理番号：13A1365911

GaN/α-Al₂O₃(0001)基板上に成長したSi重ドープのIn_xGa_1-xN(x~0.3)におけるIn取込みの著しい抑制

Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped In_xGa_1-xN (x ~ 0.3) grown on GaN/α-Al₂O₃(0001) template

著者 (4件)： YAMAMOTO Akio (Univ. of Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  MIHARA Akihiro (Univ. of Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka 558-8585, JPN) ,  NARITA Norihiko (The Kansai Electric Power Co., Hyogo 661-0974, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 8  ページ： 082113-082113-4  発行年： 2013年08月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *鋳型効果 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  ケイ素 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  サファイア ,  *化学組成 ,  *窒化インジウムガリウム ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  モノメチルシラン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  α-AL2O3 ,  成長 ,  Si ,  ドープ ,  取込み