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J-GLOBAL ID：201302290960147696   整理番号：13A1722425

W₂Cゲート電極とLa-silicateゲート絶縁膜を用いたMOSキャパシタの信頼性評価

著者 (11件)： 中村嘉基 (東京工大) ,  細田修平 (東京工大) ,  TUOKEDAERHAN K. (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.17P-B5-5  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *コンデンサ ,  信頼性 ,  酸化膜 ,  *ケイ酸塩 ,  *ランタン化合物 ,  *電極材料 ,  炭素 ,  タングステン ,  多層膜 ,  複合膜 ,  *応力測定 ,  *容量電圧特性 ,  被覆層 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  ゲート絶縁膜 ,  窒化チタン ,  交互多層膜 ,  化成皮膜 ,  *計測
準シソーラス用語： 交互積層膜 ,  CVS測定 ,  バリア層

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： W2C ,  ゲート電極 ,  La ,  ゲート絶縁膜 ,  MOSキャパシタ ,  信頼性評価