半導体レーザ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：森幸一 , 逢坂宏 , 松村修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047184
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135792
特許番号：特許第5169310号
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化物系III-V族化合物半導体を用い、共振器端面に密着層を介して端面コート膜が形成され、上記密着層は上記共振器端面における少なくとも発光部を含む領域上に形成され、上記密着層はAlOx (ただし、0<x<1.5)からなり、かつ上記端面コート膜はAl2 O3 からなる誘電体膜からなり、または、上記密着層はAlNx (ただし、0<x<1)からなり、かつ上記端面コート膜はAlNからなる誘電体膜からなる半導体レーザ。

IPC (1件)：