特許

J-GLOBAL ID：201303075372150546

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 寺島 浩一 ,  竹内 潔 ,  山上 滋春 ,  若林 整 ,  小椋 厚志 ,  渡部 宏治 ,  辰巳 徹 ,  武田 晃一 ,  野村 昌弘 ,  田中 聖康
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (3件)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-514825
特許番号：特許第4865331号
出願日： 2004年10月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基体上に設けられた突起状の半導体領域と、該半導体領域を挟んで形成された突起状のソース/ドレイン領域と、絶縁膜を介して該半導体領域の少なくとも側面上に設けられたゲート電極とを備えた半導体装置であって、 該ソース/ドレイン領域は、少なくともその幅が最も大きい部分では前記半導体領域の幅よりも大きく、かつ該ソース/ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されており、 前記基体が層間絶縁膜であり、 前記突起状の半導体領域及び前記突起状のソース/ドレイン領域は、該層間絶縁膜の下部に設けられた半導体層の一部が該層間絶縁膜を貫通して、該層間絶縁膜よりも上方に突出したものである、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (11件)：

H01L 29/78 618 C ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 331 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-079081
  
• 薄膜トランジスタおよび接合構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253056   出願人：株式会社東芝
• 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027830   出願人：三星電子株式会社