特許
J-GLOBAL ID：201303080529759071
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 石橋 政幸
, 緒方 雅昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-528844
特許番号：特許第5012023号
出願日： 2005年07月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体平面に対して上方に突起した半導体領域と、該半導体領域の上面に設けられたキャップ絶縁膜と、該半導体領域及び該キャップ絶縁膜をまたぐように該キャップ絶縁膜の上部から該半導体領域の側方に延在したゲート電極と、このゲート電極と前記半導体領域の側面の間に介在するゲート絶縁膜と、
該ゲート電極に覆われた該半導体領域を挟むように、該半導体領域に設けられたソース/ドレイン領域とを有し、該半導体領域の側面にチャネル領域が形成される電界効果型トランジスタであって、
ゲート電極に覆われた前記キャップ絶縁膜の、前記半導体領域の側面の延長方向の側面のうち、該半導体領域に接する少なくとも一部の部分に、HF溶液を用いたウェットエッチングに対してSiO2よりもエッチングレートが低い側面耐エッチング領域を持ち、
前記キャップ絶縁膜のゲート電極に覆われた相対する二つの側面に、前記側面耐エッチング領域が相対して設けられ、前記キャップ絶縁膜中の前記相対した側面耐エッチング領域に挟まれた位置に、前記側面耐エッチング領域とは異なる材料よりなる中央領域を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 619 A
, H01L 29/78 617 S
