特許

J-GLOBAL ID：201303080755823521

有機半導体薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 小穴 保久 ,  真島 豊
出願人/特許権者： エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  上田 俊一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-172970
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091866
特許番号：特許第5167465号
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの製造方法であって、 絶縁性基板上にゲート電極およびゲート絶縁膜を形成するステップと、 前記ゲート絶縁膜上の、前記ゲート電極の上部に対応する位置に、有機半導体材料に対する結晶配向規制力を有する自己整合平坦化層を形成するステップと、 前記自己整合平坦化層が形成された領域を除く部分に、前記自己整合平坦化層と連続的に平坦となるように無機透明導電層を形成するステップと、 前記自己整合平坦化層、前記無機透明導電層、および前記ゲート絶縁膜をエッチング処理することにより、前記絶縁性基板上に所望の大きさの平坦化層、ソース電極、ドレーン電極、およびゲート電極端子を形成するステップと、 連続的に平坦化された前記ソース電極、前記平坦化層、および前記ドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層を形成するステップと を備えたことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 280 ,  H01L 29/28 390 ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 617 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-219647   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-035136   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 電子素子、その製造方法、表示装置および演算装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-240886   出願人：株式会社リコー