半導体層の検査方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218329
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035991
特許番号：特許第4777003号
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、光照射によって半導体層で発生する励起子に特有な反射スペクトルを計測するステップと、該光学スペクトルのブロードニングファクターを解析することによって、半導体層の表面状態を評価するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。

IPC (1件)：