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J-GLOBAL ID：200902185478702886   整理番号：00A0921702

Si基板のプラズマ誘起損傷のフォトリフレクタンスによる評価

Photoreflectance characterization of the plasma-induced damage in Si substrate.

著者 (6件)： WADA H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  AGATA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ERIGUCHI K (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Osaka, JPN) ,  FUJIMOTO A (Wakayama National Coll. Technol., Wakayama, JPN) ,  KANASHIMA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKUYAMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 88  号： 5  ページ： 2336-2341  発行年： 2000年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar及びCHF₃/CF<sub>4<...

シソーラス用語： *プラズマ曝露 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の光学的効果  (BM08040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  プラズマ ,  誘起 ,  損傷 ,  フォトリフレクタンス ,  評価