Si基板のプラズマ誘起損傷のフォトリフレクタンスによる評価

WADA H; AGATA M; ERIGUCHI K; FUJIMOTO A; KANASHIMA T; OKUYAMA M

文献

J-GLOBAL ID：200902185478702886 整理番号：00A0921702

Si基板のプラズマ誘起損傷のフォトリフレクタンスによる評価

Photoreflectance characterization of the plasma-induced damage in Si substrate.

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巻： 88 号： 5 ページ： 2336-2341 発行年： 2000年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , その他の光学的効果

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