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J-GLOBAL ID：201402207853216530   整理番号：14A0371893

W₂C電極導入によるLa-silicate/Siにおける平坦な界面の実現

著者 (10件)： 細田修平 (東京工大) ,  TUOKEDAERHAN K. (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-PG3-27  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電極 ,  *炭化タングステン ,  *界面 ,  酸化ランタン ,  ケイ酸塩 ,  薄膜
準シソーラス用語： *ゲート電極

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： W2C ,  La ,  Si ,  界面