文献

J-GLOBAL ID：201402208261998604   整理番号：14A1097876

AlGaN/GaNヘテロ接合界面トラップのコンダクタンス法解析

著者 (10件)： 馬場俊之 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  川那子高暢 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A27-4  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *コンダクタンス ,  *周波数特性 ,  キャリア捕獲 ,  界面 ,  *捕獲中心 ,  *ヘテロ接合 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *ゲート【半導体】 ,  電極 ,  HEMT ,  表面準位 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体中のその他の準粒子  (BM02150L)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合界面 ,  トラップ ,  コンダクタンス ,  解析