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J-GLOBAL ID：201402211476188949   整理番号：14A0370754

デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算

著者 (8件)： 寺山一真 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19A-D8-1  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *オン抵抗 ,  *HEMT ,  電流電圧特性 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  横型 ,  極限設計 ,  計算機シミュレーション ,  CAD【計算機】 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  パワーデバイス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： デバイスシミュレーション ,  横型 ,  GaNパワーデバイス ,  極限 ,  オン抵抗 ,  試算