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J-GLOBAL ID：201402219504195493   整理番号：14A1099700

La₂O₃/HfO₂/SiO₂積層絶縁膜Si-MOSキャパシタのフラットバンド電圧の測定

著者 (10件)： 福井僚 (東京工大) ,  中村嘉基 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  片岡好則 (東京工大) ,  西山彰 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  杉井信之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  名取研二 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-A17-4  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 薄膜コンデンサ ,  *絶縁膜 ,  *多層膜 ,  *酸化ランタン ,  *酸化ハフニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  双極子 ,  *ケイ素 ,  *MOS構造 ,  誘電体薄膜 ,  タングステン ,  *容量電圧特性 ,  高k誘電体
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  *フラットバンド電圧 ,  ゲートスタック

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (7件)： La2O3 ,  HfO2 ,  SiO2 ,  絶縁膜 ,  Si ,  MOSキャパシタ ,  フラットバンド電圧