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J-GLOBAL ID：201402220084093515   整理番号：14A0146104

微細MOSFETの電流開始電圧(COV)分布の統計解析

Statistical Analysis of Current Onset Voltage (COV) Distribution of Scaled MOSFETs

著者 (3件)： MIZUTANI Tomoko (Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KUMAR Anil (Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E96-C  号： 5  ページ： 630-633  発行年： 2013年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 65nm技術により作製したMOSFETの電流開始電圧(COV)と閾値電圧V_thおよびドレイン誘起障壁の低下(DIBL)の分布を統計的に解析した。V_thの分布は正規分布に従うが,COVとDIBLは正規分布から逸脱する。COVは極値分布の1つであるGumbel分布に従うことが新たに明確になった。これはCOVが主にソースとドレインの間の最も深い電位の谷によって決定されるという筆者のモデルを支持する。この結果はより正確な回路変動のシミュレーションのための精密な小型素子のモデリングに寄与する可能性がある。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電流電圧特性 ,  電圧 ,  ドレイン【半導体】 ,  短チャネル効果 ,  正規分布 ,  極値 ,  確率分布 ,  ソース【半導体】 ,  モデリング ,  シミュレーション ,  *統計解析 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： Gumbel分布 ,  障壁低下効果 ,  素子モデリング

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

引用文献 (21件)：

• HOENEISEN, B. Fundamental limitations in microelectronics-I. MOS technology. Solid-State Electron. 1972, 15, 819-829
• PELGROM, M. J. M. Matching properties of MOS transistors. IEEE J. Solid-State Circuits. 1989, 20, 5, 1433-1439
• MIZUNO, T. Performance fluctuations of 0.10μm MOSFETs-Limitation of 0.1μm ULSIs. Symposium on VLSI Technology, June. 1994, 13-14
• ASENOV, A. Random dopant induced threshold voltage lowering and fluctuations in sub-0.1μ MOSFET's : A 3-D ' atomistic ' simulation study. IEEE Trans. Electron Devices. 1998, 45, 8, 2505-2513
• YASUDA, Y. Separation of effects of statistical impurity number fluctuations and position distribution on vth fluctuations in scaled MOSSFETs. IEEE Trans. Electron Devices. 2000, 47, 10, 1838-1842

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細 ,  MOSFET ,  分布 ,  統計解析