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J-GLOBAL ID：201402221656244800   整理番号：14A0575692

表面活性化ボンディングベースInGaPオンSi二重接合電池

Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells

著者 (6件)： SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (JST-CREST, Osaka, JPN) ,  MORIMOTO Masashi (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIDA Shota (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  LIANG Jianbo (JST-CREST, Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 4S  ページ： 04ER05.1-04ER05.4  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaPオンSi二重接合電池を,Siベースボトム電池へのGaAs基板上に成長させたInGaPベーストップ電池層の表面活性化ボンディング,及びGaAs基板の選択的エッチングにより作製した。タンデム動作における二重接合電池の開回路電圧は,トップ及びボトム電池の開回路電圧の和に近かった。nオンp InGaP/(100)Si二重接合電池のタンデム動作の効率は,それぞれのサブ電池の効率より高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *リン化物 ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  活性化 ,  *ボンディング【IC】 ,  *選択腐食 ,  *電圧 ,  効率 ,  *リン化ガリウムインジウム ,  *選択エッチング ,  *タンデム太陽電池
準シソーラス用語： *多接合太陽電池 ,  シリコン ,  表面活性化 ,  *開回路電圧

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (31件)：

• H. Sugiura, C. Amano, A. Yamamoto, and M. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 269 (1988).
• J. M. Olson, S. R. Kurtz, A. E. Kibbler, and P. Faine, Appl. Phys. Lett. 56, 623 (1990).
• K. A. Bertness, S. R. Kurtz, D. J. Friedman, A. E. Kibbler, C. Kramer, and J. M. Olson, Appl. Phys. Lett. 65, 989 (1994).
• T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurita, and M. Ohmori, Appl. Phys. Lett. 70, 381 (1997).
• T. Takamoto, E. Ikeda, H. Kurita, M. Ohmori, M. Yamaguchi, and M.-J. Yang, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6215 (1997).

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面活性化 ,  ボンディング ,  InGaP ,  Si ,  電池