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J-GLOBAL ID：201402222892188747   整理番号：14A1097882

AlGaN/GaN系Pチャネル型HFETにおけるリーク電流制御

著者 (10件)： 萱沼怜 (東京工大) ,  久保田俊介 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大 フロンティア創造共同研セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-A27-10  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *漏れ電流 ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  チャネル ,  二次元電子ガス ,  正孔 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *HFET ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  チャネル ,  HFET ,  リーク ,  電流制御